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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten GA50JT17-247
VGS (th) (Max) @ Id | - |
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Vgs (Max) | - |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A |
Verlustleistung (max) | 583W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Andere Namen | 1242-1247 |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Typ FET | - |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1700V |
detaillierte Beschreibung | 1700V 100A (Tc) 583W (Tc) Through Hole TO-247 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |