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NSV60600MZ4T1G
- Mega -Quelle #: MEGA-NSV60600MZ4T1G
- Hersteller: AMI Semiconductor/onsemi
- Verpackung: Tape & Reel (TR)
- Beschreibung: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 53446
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten NSV60600MZ4T1G
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 60V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 600mA, 6A |
| Transistor-Typ | PNP |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-223-3 |
| Serie | - |
| Leistung - max | 800mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
| Andere Namen | NSV60600MZ4T1G-ND NSV60600MZ4T1GOSTR |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 6 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 6A 100MHz 800mW Surface Mount SOT-223-3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 120 @ 1A, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 6A |
| Basisteilenummer | NSS60600 |
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