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TPCC8002-H(TE12LQM
- Mega -Quelle #: MEGA-TPCC8002-H(TE12LQM
- Hersteller: TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
- Verpackung: Cut Tape (CT)
- Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 50200
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten TPCC8002-H(TE12LQM
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Serie | U-MOSV-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 11A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
| Andere Namen | TPCC8002-H(TE12LQMCT TPCC8002HTE12LQM |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 22A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 22A (Ta) |
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TPCC8002-H(TE12LQM FAQ
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