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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten IRF7807VTR
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 7A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 5V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8.3A (Ta) |