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MBR60080CT
- Mega -Quelle #: MEGA-MBR60080CT
- Hersteller: GeneSiC Semiconductor
- Verpackung: Bulk
- Beschreibung: DIODE MODULE 80V 300A 2TOWER
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 53655
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MBR60080CT
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 300A |
|---|---|
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 80V |
| Supplier Device-Gehäuse | Twin Tower |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | Twin Tower |
| Andere Namen | MBR60080CTGN |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 4 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp | Schottky |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| detaillierte Beschreibung | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 80V 300A Chassis Mount Twin Tower |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1mA @ 20V |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 300A |
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MBR60080CT FAQ
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Käuferlesen
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