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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten 2SB817C-1E
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 140V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 500mA, 5A |
Transistor-Typ | PNP |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3P-3L |
Serie | - |
Leistung - max | 120W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Andere Namen | 2SB817C-1E-ND 2SB817C-1EOS |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 2 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 10MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 12A 10MHz 120W Through Hole TO-3P-3L |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 100 @ 1A, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 12A |