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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten SG2013J-883B
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.9V @ 600µA, 500mA |
Transistor-Typ | 7 NPN Darlington |
Supplier Device-Gehäuse | 16-CDIP |
Serie | - |
Leistung - max | - |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | - |
Andere Namen | 1259-1108 1259-1108-MIL |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frequenz - Übergang | - |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 900 @ 500mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 600mA |