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ALD1110ESAL
- Mega -Quelle #: MEGA-ALD1110ESAL
- Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
- Verpackung: Tube
- Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 55834
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten ALD1110ESAL
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.01V @ 1µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | EPAD® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 5V |
| Leistung - max | 600mW |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET-Merkmal | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 10V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10V 600mW Surface Mount 8-SOIC |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - |
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ALD1110ESAL FAQ
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