Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von UMF4NTR bereitgestellt werden.
vorrätig: 57688
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten UMF4NTR
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V, 12V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Transistor-Typ | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Supplier Device-Gehäuse | UMT6 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Leistung - max | 150mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 250MHz, 260MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 20 @ 20mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA, 500mA |