Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von GP1S53VJ000F bereitgestellt werden.
vorrätig: 59975
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten GP1S53VJ000F
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 35V |
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Art | Unamplified |
Serie | - |
Abtastmethode | Transmissive |
Abtastabstand | 0.197" (5mm) |
Reaktionszeit | 3µs, 4µs |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | 4-DIP |
Ausgangskonfiguration | Phototransistor |
Andere Namen | 1855-1042 425-1972 425-1972-5 425-1972-5-ND 425-1972-ND |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 20 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | Optical Sensor Transmissive 0.197" (5mm) Phototransistor 4-DIP |
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) | 50mA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 20mA |