Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von DS1249AB-85IND bereitgestellt werden.
vorrätig: 50302
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten DS1249AB-85IND
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 85ns |
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Spannungsversorgung | 4.75 V ~ 5.25 V |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Supplier Device-Gehäuse | 32-EDIP |
Serie | - |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speichergröße | 2Mb (256K x 8) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | NVSRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
detaillierte Beschreibung | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 2Mb (256K x 8) Parallel 85ns 32-EDIP |
Basisteilenummer | DS1249AB |
Zugriffszeit | 85ns |