Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von AS4C4M16D1-5TIN bereitgestellt werden.
vorrätig: 50111
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten AS4C4M16D1-5TIN
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
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Spannungsversorgung | 2.3 V ~ 2.7 V |
Technologie | SDRAM - DDR |
Supplier Device-Gehäuse | 66-TSOP II |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Andere Namen | 1450-1153-5 AS4C4M16D1-5TIN-ND |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 64Mb (4M x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SDRAM - DDR Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II |
Uhrfrequenz | 200MHz |
Zugriffszeit | 700ps |