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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten NJW1302G
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 250V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 800mA, 8A |
Transistor-Typ | PNP |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3P-3L |
Serie | - |
Leistung - max | 200W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Andere Namen | NJW1302G-ND NJW1302GOS |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 18 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 30MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 15A 30MHz 200W Through Hole TO-3P-3L |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 75 @ 3A, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 50µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 15A |