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vorrätig: 52200
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten BCR08PNH6327XTSA1
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT363-6 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Leistung - max | 250mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Andere Namen | BCR 08PN H6327 BCR 08PN H6327-ND BCR08PNH6327XTSA1TR SP000750766 |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 170MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 70 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Basisteilenummer | BCR08PN |