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FDS4435BZ
- Mega -Quelle #: MEGA-FDS4435BZ
- Hersteller: AMI Semiconductor/onsemi
- Verpackung: Tape & Reel (TR)
- Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 58057
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten FDS4435BZ
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 8.8A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen | FDS4435BZTR |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 26 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1845pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| detaillierte Beschreibung | P-Channel 30V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8.8A (Ta) |
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FDS4435BZ FAQ
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