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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten 2SC5729T106R
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 30V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | UMT3 |
Serie | - |
Leistung - max | 200mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 300MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 500mA 300MHz 200mW Surface Mount UMT3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 180 @ 50mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |