Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von CY22E016L-SZ35XI bereitgestellt werden.
vorrätig: 55133
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten CY22E016L-SZ35XI
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 35ns |
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Spannungsversorgung | 4.5 V ~ 5.5 V |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Supplier Device-Gehäuse | 28-SOIC |
Serie | - |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speichergröße | 16Kb (2K x 8) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | NVSRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 35ns 28-SOIC |
Basisteilenummer | CY22*016 |
Zugriffszeit | 35ns |