Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von C3M0075120J bereitgestellt werden.
vorrätig: 55224
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten C3M0075120J
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
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Vgs (Max) | +19V, -8V |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Supplier Device-Gehäuse | D2PAK-7 |
Serie | C3M™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 20A, 15V |
Verlustleistung (max) | 113.6W (Tc) |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 26 Weeks |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 1000V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 15V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 1200V 30A (Tc) 113.6W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |