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EPC8002ENGR
- Mega -Quelle #: MEGA-EPC8002ENGR
- Hersteller: EPC
- Verpackung: Tray
- Beschreibung: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 57203
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten EPC8002ENGR
| Spannung - Prüfung | 21pF @ 32.5V |
|---|---|
| Spannung - Durchschlag | Die |
| VGS (th) (Max) @ Id | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Serie | eGaN® |
| RoHS Status | Tray |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2A (Ta) |
| Polarisation | Die |
| Andere Namen | 917-EPC8002ENGR EPC8002ENGI |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | EPC8002ENGR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 0.14nC @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| FET-Merkmal | N-Channel |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
| Beschreibung | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 65V |
| Kapazitätsverhältnis | - |
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EPC8002ENGR FAQ
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Käuferlesen
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