Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von CY7C1512V18-200BZXI bereitgestellt werden.
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten CY7C1512V18-200BZXI
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
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Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.9 V |
Technologie | SRAM - Synchronous, QDR II |
Supplier Device-Gehäuse | 165-FBGA (15x17) |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 165-LBGA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 72Mb (4M x 18) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 72Mb (4M x 18) Parallel 200MHz 165-FBGA (15x17) |
Uhrfrequenz | 200MHz |
Basisteilenummer | CY7C1512 |