vorrätig: 56805
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten 2SA1386
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 160V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 500mA, 5A |
Transistor-Typ | PNP |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3P |
Serie | - |
Leistung - max | 130W |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Andere Namen | 2SA1386 DK |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 24 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 40MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor PNP 160V 15A 40MHz 130W Through Hole TO-3P |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 50 @ 5A, 4V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 15A |