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NTMS4P01R2
- Mega -Quelle #: MEGA-NTMS4P01R2
- Hersteller: AMI Semiconductor/onsemi
- Verpackung: Tape & Reel (TR)
- Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
- RoHS-konform: Enthält Blei / RoHS nicht konform
- Datasheet:
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vorrätig: 50600
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten NTMS4P01R2
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.15V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±10V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 790mW (Ta) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen | NTMS4P01R2OS |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 9.6V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| detaillierte Beschreibung | P-Channel 12V 3.4A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.4A (Ta) |
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NTMS4P01R2 FAQ
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