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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten BCR129SH6327XTSA1
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT363-6 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Leistung - max | 250mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Andere Namen | BCR 129S H6327 BCR 129S H6327-ND BCR129SH6327XTSA1TR BCR129SH6327XTSA1TR-NDTR-ND SP000755046 |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 120 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |