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vorrätig: 58114
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten NAND512R3A2SZA6F
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 50ns |
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Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.95 V |
Technologie | FLASH - NAND |
Supplier Device-Gehäuse | 63-VFBGA (9x11) |
Serie | - |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | 63-TFBGA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | FLASH |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 50ns 63-VFBGA (9x11) |
Zugriffszeit | 50ns |