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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten IRF6215L
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-262 |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 6.6A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Andere Namen | *IRF6215L |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150V |
detaillierte Beschreibung | P-Channel 150V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13A (Tc) |