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TSM089N08LCR RLG
- Mega -Quelle #: MEGA-TSM089N08LCR RLG
- Hersteller: Taiwan Semiconductor
- Verpackung: Tape & Reel (TR)
- Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 50521
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten TSM089N08LCR RLG
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-PDFN (5x6) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 12A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 83W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen | TSM089N08LCR RLGTR TSM089N08LCR RLGTR-ND TSM089N08LCRRLGTR |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 32 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6119pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 80V 67A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 67A (Tc) |
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