Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von EDF8164A3PF-GD-F-R TR bereitgestellt werden.
vorrätig: 54243
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten EDF8164A3PF-GD-F-R TR
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
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Spannungsversorgung | 1.14 V ~ 1.95 V |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Serie | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Andere Namen | EDF8164A3PF-GD-F-R TR-ND EDF8164A3PF-GD-F-RTR |
Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 8Gb (128M x 64) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 8Gb (128M x 64) Parallel 800MHz |
Uhrfrequenz | 800MHz |