Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von BC640TAR bereitgestellt werden.
vorrätig: 55535
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten BC640TAR
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 80V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Transistor-Typ | PNP |
Supplier Device-Gehäuse | TO-92-3 |
Serie | - |
Leistung - max | 1W |
Verpackung | Tape & Box (TB) |
Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 100MHz 1W Through Hole TO-92-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 40 @ 150mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1A |
Basisteilenummer | BC640 |