Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von 64-0055PBF bereitgestellt werden.
vorrätig: 51636
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten 64-0055PBF
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 75A, 10V |
Verlustleistung (max) | 230W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Andere Namen | SP001553580 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4520pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 60V 160A (Tc) 230W (Tc) Through Hole |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 160A (Tc) |