Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von MDS150 bereitgestellt werden.
vorrätig: 52277
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MDS150
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 60V |
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Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | 55AW |
Serie | - |
Leistung - max | 350W |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | 55AW |
Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gewinnen | 10dB |
Frequenz - Übergang | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
detaillierte Beschreibung | RF Transistor NPN 60V 4A 1.03GHz ~ 1.09GHz 350W Chassis Mount 55AW |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 20 @ 500mA, 5V |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 4A |