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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten BC141-10
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 60V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 1A |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | TO-39 |
Serie | - |
Leistung - max | 650mW |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 50MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 50MHz 650mW Through Hole TO-39 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 100 @ 100mA, 1V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1A |