Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von CY7C2165KV18-550BZXC bereitgestellt werden.
vorrätig: 59401
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten CY7C2165KV18-550BZXC
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
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Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.9 V |
Technologie | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
Supplier Device-Gehäuse | 165-FBGA (13x15) |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 165-LBGA |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 18Mb (512K x 36) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 15 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SRAM - Synchronous, QDR II+ Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 550MHz 165-FBGA (13x15) |
Uhrfrequenz | 550MHz |