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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten BCW65CLT1G
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 32V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie | - |
Leistung - max | 225mW |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen | BCW65CLT1GOSCT |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 2 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 32V 800mA 100MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 250 @ 100mA, 1V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 20nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 800mA |
Basisteilenummer | BCW65 |