vorrätig: 54092
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MRF586G
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 17V |
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Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | TO-39 |
Serie | - |
Leistung - max | 1W |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Betriebstemperatur | - |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gewinnen | 13.5dB |
Frequenz - Übergang | 3GHz |
detaillierte Beschreibung | RF Transistor NPN 17V 200mA 3GHz 1W Through Hole TO-39 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 40 @ 50mA, 5V |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 200mA |