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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten 2SD2096T114E
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 60V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | HRT |
Serie | - |
Leistung - max | 1.8W |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | HRT |
Andere Namen | 2SD2096T114ECT |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 8MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 8MHz 1.8W Through Hole HRT |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 100 @ 500mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 3A |
Basisteilenummer | 2SD2096 |