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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
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Spannungsversorgung | 2.5 V ~ 3.6 V |
Technologie | FLASH - NAND |
Serie | - |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speichergröße | 768Gb (96G x 8) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | FLASH |
detaillierte Beschreibung | FLASH - NAND Memory IC 768Gb (96G x 8) Parallel 333MHz |
Uhrfrequenz | 333MHz |