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QS8J11TCR
- Mega -Quelle #: MEGA-QS8J11TCR
- Hersteller: LAPIS Technology
- Verpackung: Cut Tape (CT)
- Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 59102
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten QS8J11TCR
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | TSMT8 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Leistung - max | 550mW |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
| Andere Namen | QS8J11TCRCT |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| Typ FET | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 3.5A 550mW Surface Mount TSMT8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.5A |
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QS8J11TCR FAQ
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