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FDA20N50-F109
- Mega -Quelle #: MEGA-FDA20N50-F109
- Hersteller: AMI Semiconductor/onsemi
- Verpackung: Tube
- Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 450
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten FDA20N50-F109
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3PN |
| Serie | UniFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 11A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 280W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Andere Namen | FDA20N50 FDA20N50-ND FDA20N50_F109 FDA20N50_F109-ND |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 6 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3120pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59.5nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 500V 22A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 22A (Tc) |
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FDA20N50-F109 FAQ
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