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vorrätig: 52874
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten NSV40302PDR2G
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 40V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 115mV @ 200mA, 2A |
Transistor-Typ | NPN, PNP |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | - |
Leistung - max | 653mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andere Namen | NSV40302PDR2G-ND NSV40302PDR2GOSTR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 6 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 180 @ 1A, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 3A |