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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten IRF7523D1
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | Micro8™ |
Serie | FETKY™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 1.7A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.25W (Ta) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | Schottky Diode (Isolated) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 2.7A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™ |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.7A (Ta) |