Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von BFP640FESDH6327XTSA1 bereitgestellt werden.
vorrätig: 50018
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten BFP640FESDH6327XTSA1
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 4.7V |
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Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | 4-TSFP |
Serie | - |
Leistung - max | 200mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 4-SMD, Flat Leads |
Andere Namen | BFP 640FESD H6327 BFP 640FESD H6327-ND BFP640FESDH6327XTSA1TR SP000890034 |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gewinnen | 8B ~ 30.5dB |
Frequenz - Übergang | 46GHz |
detaillierte Beschreibung | RF Transistor NPN 4.7V 50mA 46GHz 200mW Surface Mount 4-TSFP |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 110 @ 30mA, 3V |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 50mA |
Basisteilenummer | BFP640 |