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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten JANTXV2N3767
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 80V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 100mA, 1A |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | TO-66 |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/518 |
Leistung - max | 25W |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | TO-213AA, TO-66-2 |
Andere Namen | 1657-1222 1657-1222-MIL |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frequenz - Übergang | - |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 4A 25W Through Hole TO-66 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 40 @ 500mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 4A |