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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten ES6U1T2R
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±10V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 6-WEMT |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 700mW (Ta) |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
Andere Namen | ES6U1T2RCT |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 6V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | Schottky Diode (Isolated) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
detaillierte Beschreibung | P-Channel 12V 1.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.3A (Ta) |