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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten PUMB9,115
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | 6-TSSOP |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Leistung - max | 300mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Andere Namen | 934057506115 PUMB9 T/R PUMB9 T/R-ND |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | - |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 100 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Basisteilenummer | MB9 |