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vorrätig: 51504
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
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Spannungsversorgung | 1.1V |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Serie | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Andere Namen | MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR-ND MT53B256M32D1GZ-062WTES:BTR |
Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 8Gb (256M x 32) |
Speicherschnittstelle | - |
Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 8Gb (256M x 32) 1600MHz |
Uhrfrequenz | 1600MHz |