Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von AS4C8M32S-6BIN bereitgestellt werden.
vorrätig: 50871
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten AS4C8M32S-6BIN
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 2ns |
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Spannungsversorgung | 3 V ~ 3.6 V |
Technologie | SDRAM |
Supplier Device-Gehäuse | 90-TFBGA (8x13) |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 90-TFBGA |
Andere Namen | 1450-1163 AS4C8M32S-6BIN-ND |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 256Mb (8M x 32) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-TFBGA (8x13) |
Uhrfrequenz | 166MHz |
Zugriffszeit | 5ns |