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vorrätig: 56394
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten FF200R12KT3HOSA1
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200V |
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VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
Supplier Device-Gehäuse | Module |
Serie | - |
Leistung - max | 1050W |
Verpackung / Gehäuse | Module |
Andere Namen | FF200R12KT3 FF200R12KT3-ND SP000100789 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
NTC-Thermistor | No |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE | 14nF @ 25V |
Eingang | Standard |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
detaillierte Beschreibung | IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200V 1050W Chassis Mount Module |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
Konfiguration | 2 Independent |