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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten GA20JT12-263
VGS (th) (Max) @ Id | - |
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Vgs (Max) | - |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Supplier Device-Gehäuse | D2PAK (7-Lead) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 20A |
Verlustleistung (max) | 282W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Andere Namen | 1242-1189 GA20JT12-247ISO GA20JT12247ISO |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 18 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3091pF @ 800V |
Typ FET | - |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
detaillierte Beschreibung | 1200V 45A (Tc) 282W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 45A (Tc) |