vorrätig: 56812
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten CE3512K2
Spannung - Prüfung | 2V |
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Spannung - Nennwert | 4V |
Transistor-Typ | pHEMT FET |
Supplier Device-Gehäuse | 4-Micro-X |
Serie | - |
Leistung | 125mW |
Verpackung | Strip |
Verpackung / Gehäuse | 4-Micro-X |
Rauschmaß | 0.5dB |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 7 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gewinnen | 13.7dB |
Frequenz | 12GHz |
detaillierte Beschreibung | RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X |
Aktuelle Bewertung | 15mA |
Strom - Test | 10mA |