vorrätig: 53412
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MPSW13RLRA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 30V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 100µA, 100mA |
Transistor-Typ | NPN - Darlington |
Supplier Device-Gehäuse | TO-92 (TO-226) |
Serie | - |
Leistung - max | 1W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frequenz - Übergang | 125MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 1A 125MHz 1W Through Hole TO-92 (TO-226) |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 10000 @ 100mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1A |